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Capacidad 512 GB / Factor de forma M.2 / Interfaz PCIe 3.0 x4 / Tipo NAND Samsung V-NAND
Características
- Capacidad 512 GB
- Factor de forma M.2
- Interfaz PCIe 3.0 x4
- Tipo NAND Samsung V-NAND
- Controlador UBX
- Memoria Caché 512MB SDRAM DDR3
- Lectura secuencial Hasta 2.200MB/seg
- Escritura secuencial Hasta 900MB/seg
- Lectura Random hasta 270.000 IOPS
- Escritura Random Hasta 85.000 IOPS
- Confiabilidad 1,5 millones de horas
- Temperatura de funcionamiento 0° C a 70°
- Humedad 5% a 95%, sin condensación
- Vibración 20 ~ 2000Hz, 20G
- Dimensiones 80.15 x 22.15 x 2.38mm
