Samsung 850 EVO 250GB M.2 MZ-N5E250BW

Características

• Capacidad: 250 GB
• Interfaz: M.2
• Memoria de almacenamiento: Samsung 32 layer 3D V-NAND
• Memoria caché: Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
• Controller: Samsung MGX
• Dimensiones: (29.85±0.15) x (50.80±0.15) x Max 3.85 (mm)
• Peso: Max. 7g
• Soporte TRIM: TRIM
• Soporte S.M.A.R.T
• GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection
• Encriptación: AES 256 bit (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667
• WWN: World Wide Name
• Soporte Modo Suspensión en dispositivo
• Lectura secuencial: Hasta 540 MB/seg en lectura secuencial * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración
• Escritura secuencial: Hasta 520 MB/seg en escritura secuencial * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración
• Lectura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 97,000 IOPS en lectura aleatoria * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración
• Escritura aleatoria (4KB, QD32): Hasta 88,000 IOPS en escritura aleatoria * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración
• Lectura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 10,000 IOPS en lectura aleatoria * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración
• Escritura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 40,000 IOPS en escritura aleatoria * El rendimiento puede variar en función del hardware y la configuración
• Consumo energético medio: *Normal: 2.3 W *Máximo 3.6 W (Burst mode)* El consumo real puede variar en función del hardware y la configuración
• Consumo energético (Idle): Max. 50 mWatts * El consumo real puede variar en función del hardware y la configuración
• Voltaje soportado: 3.3V ± 5%
• Durabilidad (MTBF): 1.5 Millones de horas (MTBF)
• Temperatura: 0 - 70 ?
• Golpes: 1.500G & 0.5ms